DRV8300DRGER具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
产品型号：DRV8300DRGER
产品品牌：TI
产品封装：VQFN-24
产品功能：驱动器
DRV8300DRGER 的说明
DRV8300 是 100-V 三半桥栅极驱动器，能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300D 使用集成自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。DRV8300N 使用外部自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。GVDD 用于产生低侧 MOSFET 的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变；而高端栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125-V) 绝对最大电压，从而提高了系统的稳健性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低端和高端提供欠压保护。
DRV8300DRGER 的特性
●100V 三相半桥栅极驱动器驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
●栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20 V
●MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100 V
●集成自举二极管（DRV8300D 器件）
●支持反相和同相 INLx 输入
●自举栅极驱动架构750mA 源电流
●1.5A 灌电流
●支持高达 15S 的电池供电应用
●SHx 引脚上的低漏电流 (<55 µA)
●绝对最大 BSTx 电压高达 125V
●在 SHx 上支持高达 -22V 的负瞬变
●内置交叉传导预防
●通过 DT 引脚可调节死区时间，用于 QFN 封装变体
●TSSOP 封装变体的固定死区插入时间为 200 nS
●支持 3.3V 和 5V 逻辑输入，最大 20V Abs
●4 nS 典型传播延迟匹配
●紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
●使用电源模块进行高效系统设计
●综合保护功能BST 欠压锁定 (BSTUV)
●GVDD 欠压 (GVDDUV)
