SN74AUP1G79DBVT 低功耗单路正边沿触发式 D 型触发器
产品型号：SN74AUP1G79DBVT
产品品牌：TI/德州仪器
产品封装：SOT-23 (DBV)
产品功能：低功耗单路正边沿触发式 D 型触发器
SN74AUP1G79DBVT 特性
●采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装
●低静态功耗：
ICC = 0.9 µA 最大值
●低动态功耗：
3.3 V 时 Cpd = 3 pF 典型值
●低输入电容：
Ci = 1.5 pF 典型值
●低噪声： 过冲和欠冲
< VCC 的 10%
●Ioff 支持部分掉电模式操作
●输入滞后允许输入缓慢转换，并提高输入端的开关抗噪能力
(3.3 V 时 Vhys = 250 mV 典型值）
●0.8 V 至 3.6 V 的宽工作 VCC 范围
●针对 3.3 V 操作进行了优化
●3.6 V I/O 容差，支持混合模式信号操作
●3.3 V 时 tpd = 4 ns 最大值
●适合点对点应用
●闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78 II 类标准
●根据 JESD 22 测试的 ESD 性能
2000 V 人体模型
(A114-B，II 类）
1000 V 充电设备模型（C101）
SN74AUP1G79DBVT 说明
AUP 系列是 TI 为满足电池供电便携式应用的低功耗需求而推出的首屈一指的解决方案。该系列确保在 0.8 V 至 3.6 V 的整个 VCC 范围内具有极低的静态和动态功耗，从而延长了电池寿命。AUP 器件还能保持出色的信号完整性。
SN74AUP1G79 是单个正沿触发 D 型触发器。当数据 (D) 输入端的数据满足设置时间要求时，数据就会在时钟脉冲的正沿传输到 Q 输出端。时钟触发发生在一个电压电平上，与时钟脉冲的上升时间没有直接关系。在保持时间间隔之后，可以更改 D 输入端的数据，而不会影响输出端的电平。
NanoStar™ 封装技术是集成电路封装概念的重大突破，它使用裸片作为封装。
SN74AUP1G79 器件完全适用于使用 Ioff 的部分掉电应用。当器件断电时，Ioff 电路会禁用输出。这可抑制电流回流到器件中，从而防止器件损坏。
封装图
公众号/视频号
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