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NJG1681MD7-TE1 大功率SPDT开关GaAs MMIC
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大功率SPDT开关G
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NJG1681MD7-TE1（大功率SPDT射频开关 EQFN14超薄贴片）
◆特征：
●高功率GaAs SPDT射频开关，P-0.1dB高达36dBm，可承受功放大功率输出
●超低插入损耗0.18dB@0.9GHz，射频功率损耗极低，整机发射效率高
●宽频覆盖0.05~6GHz，兼容GSM/LTE/WiFi 2.4G/5.8G多频段
●1.8V低压逻辑控制，全部射频端口自带内置隔直电容，外围极简
●EQFN14 1.6×1.6mm超薄微型封装，内置ESD防护，手机天线主开关首选
●基本参数：
° 拓扑：SPDT单刀双掷
° 频率范围：50MHz～6GHz
° P-0.1dB功率：36dBm
° 插入损耗：0.18dB@0.9GHz
° 封装：EQFN14(MD7)
° 工作温度：-40℃～+85℃
●概述：
大功率射频天线开关，可直接置于功放后级处理大功率发射信号，低插损、高线性，智能手机主天线收发切换核心器件。
▲应用领域：
●智能手机主天线发射/接收通路切换
●大功率4G/5G无线模组射频前端
●WiFi6双频路由器功放后级信号开关
●车载通信终端大功率射频切换电路
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