IRF3805S N 沟道 MOS 管 封装TO263 蓝信伟业
特征：
●N 沟道功率 MOSFET，VDS 耐压 55V，大电流能力
●极低导通电阻 Rds (on) 最大 2.6mΩ@VGS=10V，导通损耗小英飞凌
●7 引脚 D2‑PAK 贴片封装，多引脚分流，散热性能优于普通 3 脚 D2‑PAK
●内置源漏体二极管，支持续流回路
●具备雪崩耐受能力，抗浪涌冲击
●栅电荷适中，适配中高频开关电源
●宽结温工作范围‑55℃～+175℃，JEDEC 标准认证，无铅 RoHS
说明：
IRF3805S 是 55V 大电流 N 沟道贴片功率 MOS 管，7 引脚 D2‑PAK 增强散热封装，导通电阻极低，大电流承载能力强，内置体二极管，适合大电流贴片电源方案，多用于车载电源、大功率 DC‑DC、电机驱动、负载开关等，具备雪崩耐受，可靠性高，满足 JEDEC 标准，无铅环保。
参数：
●沟道类型：N 沟道
●漏源耐压 VDS：55V
●连续漏极电流 ID：210A（Tc=25℃）
●栅源电压 VGS：±20V
●导通电阻 Rds (on)：≤2.6mΩ（VGS=10V）
●栅极阈值 VGS (th)：2.0‑4.0V
●总栅电荷 Qg：290nC（最大）
●最大耗散功率 PD：380W（Tc=25℃）
●工作温度：‑55℃～+175℃
应用场景：
●车载电源系统、汽车大功率负载开关
●大电流 DC‑DC 降压转换模块
●直流电机驱动、H 桥功率回路
●电池充放电管理、大功率逆变电路
●工业电源、服务器供电模块
