IRFZ44N N 沟道 MOS 管 封装TO220 蓝信伟业
特征：
●N 沟道功率 MOSFET，VDS 耐压 55V，连续漏极电流 49A（Tc=25℃）
●低导通电阻 Rds (on) 最大 17.5mΩ@VGS=10V，导通损耗低
●开关速度快，适配百 kHz 以内开关电源电路
●完全雪崩耐受设计，抗电压浪涌冲击能力强
●内置源‑漏体二极管，可做续流二极管使用
●TO‑220AB 直插封装，方便安装散热器
●宽工作结温‑55℃～+175℃，符合 RoHS 环保标准
说明：
IRFZ44N 是经典 55V 低压大电流 N 沟道功率 MOS 管，低导通电阻，开关速度快，内置体二极管，具备雪崩耐受能力。TO‑220 直插封装可加装散热器，通用性极强，广泛用于 DC‑DC 变换、电机驱动、负载开关、低压逆变，工业设备与 DIY 电源大量使用，JEDEC 标准，环保无铅
参数：
●沟道类型：N 沟道
●漏源耐压 VDS：55V
●连续漏极电流 ID：49A（25℃）；35A（100℃）
●脉冲漏极电流 IDM：160A
●栅源电压 VGS：±20V
●导通电阻 Rds (on)：≤17.5mΩ（VGS=10V）
●栅极阈值 VGS (th)：2‑4V
●最大耗散功率 PD：94W（Tc=25℃）
●总栅电荷 Qg：63nC 典型
●工作温度：‑55℃～+175℃
应用场景：
●Buck/Boost DC‑DC 开关电源、车载电源
●直流电机调速、H 桥驱动回路
●低压逆变器、大功率负载开关
●锂电池充放电管理、焊机辅助电源
●工控设备、功放电源模块
