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  • 产品名称：
    B10NK60Z N沟道600 V、0.65 Ohm典型值、10 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，D2PAK封装
  • 功能名称：
    功率MOSFET
  • 概要：

    ■产品名称：B10NK60Z

    ■功能名称：N沟道600 V、0.65 Ohm典型值、10 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，D2PAK封装

    ■概要:

     

    这些器件是 N 通道齐纳保护功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH™ 技术开发，通过优化 ST 成熟的条形 PowerMESH™ 布局实现。除了显着降低导通电阻外，该器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。

     
    ■特征：
     
      • ●极高的 dv/dt 能力
        ●100% 雪崩测试
        ●栅极电荷最小化
        ●齐纳保护
         
  • 特征：

    • B10NK60Z N沟道600 V、0.65 Ohm典型值、10 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，D2PAK封装
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