■产品名称：FQPF50N06
■功能名称：功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，15 A，60 mΩ，TO-220F
■概要:
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
■特征：
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●15A, 60V, RDS(on) = 60mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.5A栅极电荷低（典型值：11.5nC)
●低 Crss（典型值25pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●175°C最大结温额定值"
●175°C 最大结温额定值
