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  • 产品名称：
    FQP55N10 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
  • 功能名称：
    功率 MOSFET，
  • 概要：

    ■产品名称：FQP55N10

    ■功能名称：功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220

    ■概要:

    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。


    ■特征：
     
    • ●55A, 100V, RDS(on) = 26mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 27.5A栅极电荷低（典型值：75nC)
      ●低 Crss（典型值130pF)
      ●100% 经过雪崩击穿测试
      ●175°C最大结温额定值"
      ●175°C 最大结温额定值
       
  • 特征：

    • FQP55N10 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
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