■产品名称：FQA70N10
■功能名称：N沟道增强型功率MOSFET
■概要：
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
■特征：
●70A，100VRDS（开启）=23mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=35A
●低栅极电荷（典型85nC）
●低CRS（典型150pF）
●100%雪崩测试
●175°C最大连接温度额定值
