IRFB4020PBF 功率 MOSFET 封装TO-220AB 蓝信伟业
特征：
●D 类音频优化：低 Qg、低反向恢复电荷 Qrr、低内部栅阻，降低 THD 与 EMI，效率高。
●低导通损耗：Rds (on) 低，大电流下损耗小，适合中大功率场景。
●高鲁棒性：175℃高温耐受、100% 雪崩测试、优异 dV/dt 抗扰，工业级可靠性。
●直插易散热：TO-220 带散热片，可直接装散热器，适合大功率自然风冷设计
说明：
IRFB4020PBF 是英飞凌200V/18A N 沟道功率 MOSFET，采用 HEXFET® 工艺，专为 D 类音频放大器与工业电源优化。核心参数平衡低内阻、低栅荷与快恢复，兼顾效率、音质与 EMI 表现；TO-220 直插封装散热好、耐压高、电流能力强，支持半桥 / 全桥架构，单通道可驱动 300W（8Ω 负载），是中高压、中大功率场景的经典通用型 MOSFET。
参数：
●漏源电压 VDS：200V
●连续漏极电流 ID：18A（Tc=25℃）
●导通电阻 Rds (on)：典型 60mΩ，最大 72.5mΩ@VGS=10V
●栅极阈值电压 VGS (th)：3.0～5.0V
●栅极电荷 Qg：18nC
●最大功耗 PD：100W（Tc=25℃）
●工作温度：-55℃～+175℃
应用场景：
●音频设备：D 类音频功放（半桥 / 全桥）、专业音响、舞台功放、汽车音响。
●工业电源：开关电源（SMPS）、PFC 校正、UPS 不间断电源、DC-DC 转换器。
●电机驱动：直流电机、步进电机、无刷电机（BLDC）的中高压驱动。
●其他：电池管理系统、逆变器、太阳能 / 储能变流器、大功率负载开关
