■产品名称：NJG1812ME4
■功能名称：高功率DPDT射频开关 GaAs MMIC
■概要：
NJG1812ME4 是最适合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射频开关，特别适合天线切换用途。本产品可对应1.8V切换电压，还具有低插入损耗、低失真、到3GHz保持高线性频率特性等特点。此外，内置的ESD 保护元件使之具有高ESD 耐压功能。在所有RF端子处不再需要隔直电容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封装。(*除去印加DC 偏压的情况)
■特征：
●低切换电压 (VCTL(H)=1.35～5.0V)
●低工作电压 (VDD=2.7V typ.)
●低插入损耗 (0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm0.35dB typ. @f=1900MHz, PIN=+33dBm0.45dB typ. @f=2700MHz, PIN=+27dBm)
●低失真 (2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm)P-0.1dB (+36 dBm min.)
●超小型薄型封装 (EQFN12-E4 (2.0 x 2.0 x 0.397 mm typ.))
●符合RoHS 规格、无卤化物、MSL1
