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  • 产品名称：
    FQA24N50 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，24 A，200 mΩ，TO-3P
  • 功能名称：
    功率 MOSFET，
  • 概要：

    ■产品名称：FQA24N50

    ■功能名称：功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，24 A，200 mΩ，TO-3P

    ■概要:

    此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率系数校正、基于半桥的电子灯镇流器。

    ■特征：
     
    • ●24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 12 A）
      ●低栅极电荷（典型值 90 nC)
      ●低 Crss（典型值 55 pF)
      ●100% 经过雪崩击穿测试
      ●符合 RoHS 标准
       
  • 特征：

    • FQA24N50 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，24 A，200 mΩ，TO-3P
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