■产品名称：IRFM120A
■功能名称：高级功率MOSFET
■概要：
是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这种先进的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的导通电阻，还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV HBM的浪涌应力。该器件系列适用于功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）TV电源、ATX和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。
■特征：
●加固栅极氧化物技术
●更低的输入电容
●改进的栅极电荷
●扩展的安全工作区域
●更低的泄漏电流：10μA（最大值）@V-DS=100V
●更低R-DS（ON）：0.155Ω（典型值）
