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  • 产品名称：
    FQP19N20C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220
  • 功能名称：
    功率 MOSFET，
  • 概要：

    ■产品名称：FQP19N20C

    ■功能名称：功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220

    ■概要:

    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

    ■特征：
     
    • ●19A, 200V, RDS(on) = 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A栅极电荷低（典型值：40.5nC)
      ●低 Crss（典型值85pF)
      ●100% 经过雪崩击穿测试
      ●100% 雪崩测试
       
  • 特征：

    • FQP19N20C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220
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