■产品名称：FDPF7N60NZ
■功能名称：功率MOSFET N沟道
■概要：
是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这种先进的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的导通电阻，还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV HBM的浪涌应力。该器件系列适用于功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）TV电源、ATX和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。
■特征：
●RDS（开）=1.05Ω（典型值）@VGS=10V，ID=3.25A
●低栅极电荷（典型13nC）
●低CRS（典型7pF）
●100%雪崩测试
●改进的dv/dt能力
●ESD改进能力
●符合RoHS
