■产品名称：IRFM120ATF
■功能名称：120A功率MOSFET，N沟道，A-FET，100 V，2.3 A，0.2Ω
■概要：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用飞兆半导体专有的平面数字存储技术生产的。这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适用于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。
■特征：
●雪崩加固技术
●坚固的栅氧化技术
●低输入电容
●改进的门电荷
●扩展安全操作区
●低泄漏电流：10μA（最大值）@VDS=100 V
