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  • 产品名称:
    IXTQ96N20P 功率 MOSFET
  • 功能名称:
    功率 MOSFET
  • 概要:

    IXTQ96N20P    功率 MOSFET   封装TO3P   蓝信伟业

    ■产品概述:
    IXTQ96N20P 是 IXYS 的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-3P 封装,200V 耐压、96A 连续电流、24mΩ 低导通电阻,兼顾高效与可靠。快速开关与雪崩能力使其适配高频开关电源、电机驱动、逆变器等中大功率电力电子系统,降低损耗并提升稳定性,是工业与消费电子中高压大电流应用的理想选择。
     
    ■特征:
    ●低导通损耗:RDS (on) 最大 24mΩ(VGS=10V,ID=48A),降低导通功耗。
    ●快速开关:极间电容与栅电荷优化,开关速度快,适配高频应用,减小开关损耗。
    ●高雪崩能力:100% 雪崩测试,抗浪涌与感性负载冲击,提升系统稳定性。
    ●高功率密度:600W 功率耗散(TC=25°C),适配中大功率场景,散热效率高。
    ●宽电压电流范围:VDS=200V,连续漏极电流 96A,适配多种中高压应用。
     
     
    ■基本参数:
    ●漏源电压(VDS):200V(最小值,VGS=0,ID=250μA)
    ●栅源电压(VGS):±20V(最大值)
    ●连续漏极电流(ID):96A(TC=25°C)
    ●脉冲漏极电流(IDM):384A(单脉冲,TC=25°C)
    ●导通电阻(RDS (on)):最大 24mΩ(VGS=10V,ID=48A)
    ●栅极阈值电压(VGS (th)):2.5V 至 5V(VDS=VGS,ID=250μA)
    ●栅极电荷(Qg):145nC(VGS=10V,VDS=100V)
    ●输入电容(Ciss):4800pF(VDS=25V,VGS=0)
    ●功率耗散(PD):600W(TC=25°C)
    ●结温范围(Tj):-55°C 至 + 175°C
     
    ■应用领域:
    ●开关电源:工业级 AC-DC、DC-DC 电源模块,适配服务器、通信设备供电。
    ●电机驱动:直流电机、步进电机驱动器,适配工业自动化、机器人、电动工具。
    ●逆变器:光伏逆变器、UPS 逆变器,实现直流到交流的高效转换。
    ●焊接设备:焊机电源中的功率开关,适配大电流高频焊接场景。
    ●电池管理:电动汽车、储能系统中的 DC-DC 变换器与负载开关,提升能量转换效率。
  • 特征:

    • IXTQ96N20P 功率 MOSFET
  • 技术资料下载: