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  • 产品名称:
    IRFS7434TRLPBF N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
  • 功能名称:
    N 通道 HEXFE
  • 概要:

    IRFS7434TRLPBF   N 沟道 MOSFET   封装TO263   蓝信伟业
     
    特征:
    ●极致低内阻:RDS (on)=1.25mΩ(典型)/1.6mΩ(最大,VGS=10V),导通损耗极小
    ●超大电流能力:连续 ID=195A(封装限制,25℃)/320A(硅片极限),峰值 IDM=780A,承载能力极强
    ● 高耐温与可靠性:结温 - 55℃~175℃,全雪崩额定,抗冲击、抗干扰强
    ● 改良栅极与动态性能:栅极耐受、雪崩与 dv/dt 耐用性提升,适合硬开关与高频电路
    ●高功率密度:PD=294W(25℃),热阻 RθJC=0.41℃/W,散热效率高
     
    说明:
    IRFS7434TRLPBF 是英飞凌(原 IR)StrongIRFET™系列 40V 高性能 N 沟道 MOSFET,采用先进沟槽工艺,实现行业领先的低导通电阻与超大电流能力。40V 耐压、195A 连续电流、1.6mΩ 最大内阻,兼顾高效率与高可靠性,是 40V 电压等级工业大功率电源、重型电机驱动及新能源高功率应用的标杆型号。
     
    参数:
    ●漏源击穿电压 VDSS:40V(极限)
    ●连续漏极电流 ID:195A(封装限制,25℃);320A(硅片极限);120A(100℃)
    ●峰值漏极电流 IDM:780A
    ●导通电阻 RDS (on):1.25mΩ(典型);1.6mΩ(最大,VGS=10V)
    ●栅极电压 VGS:±20V(极限);阈值 VGS (th)=2~3V
    ●总栅极电荷 Qg:324nC(典型,VGS=10V)
    ●最大耗散功率 PD:294W(25℃)
    ●热阻 RθJC:0.41℃/W(结到壳)
    ●工作温度 TJ:-55℃~175℃
     
    应用场景:
    ●工业大功率电源:大功率 SMPS、UPS、PFC 校正、同步整流
    ●重型电机驱动:工业 DC 电机、电动工具、电动车(LEV)控制器
    ●新能源:太阳能逆变器、储能变流器、光伏汇流箱
    ●电池管理:BMS、大电流负载开关、电池保护板
    ●其他:高频大功率稳压器、动态 ORing 电路、硬开关高频系统
     
  • 特征:

    • IRFS7434TRLPBF N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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