GD25LQ32DNIGR 串行闪存 封装WSON8 蓝信伟业
特征：
●兆易创新低电压 SPI NOR 闪存，容量 32Mbit（4MB），支持标准 SPI、双线 Dual SPI、四线 Quad SPI 三种通信模式，最高时钟 120MHz，读写速率高。
●窄压域低压工作，适配 1.65V~2V 供电，主打低功耗，静态待机电流仅 35μA，适合电池供电设备。
●多重防护机制：硬件写保护、软件区块写保护、写使能锁存，可防止固件误擦写，数据安全性高。
●工业级温度耐受，擦写寿命 10 万次，常温数据可保存 20 年，长期存储稳定性强。
●兼容主流 SPI Flash 驱动，可直接替换同规格低压 WINBOND、MXIC 型号。
说明：
属于非易失串行闪存，存储架构 4M×8bit，以 256 字节为一页，单页编程典型耗时 2.4ms；支持整片擦除、扇区擦除、块擦除。四线 SPI 可大幅提升固件烧录、高速读取速度。IO 支持双向复用，引脚定义通用常规 8 脚 SPI Flash，CS、CLK、DI/DO/QIO 共用引脚。LQ 系列专为 1.8V 低压平台设计，不兼容 3.3V 常规 Flash 电压体系。
参数：
●存储容量：32Mbit=4MB（4M×8）
●供电电压：1.65V~2V
●接口：SPI/Dual SPI/Quad SPI
●最高时钟：120MHz
●单页编程时间：2.4ms
●待机电流：35μA
●擦写寿命：最少 10 万次
应用场景：
●低电压单片机固件存储、便携穿戴设备、无线蓝牙 / WiFi 模块、锂电池供电便携硬件、小型物联网终端、手持仪器、低功耗传感器主板程序存储。
