是一款小型单通道负载开关，采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。

多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载，C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中，B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。

开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。此器件同时提供高电平有效和低电平有效 (L) 版本。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后，便会断开智能下拉电阻，从而防止不必要的功率损耗。

• ●输入电压范围 (VIN)：1 V 至 5.5V
• ●最大持续电流 (IMAX)：2A
• ●导通电阻 (RON)：
  • 5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值）
  • 1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值）
  • 1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值）
• ●超低功耗：
  • 导通状态 (IQ)：0.5µA（典型值）、1µA（最大值）
  • 关闭状态 (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值）
  • TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值）
• ●ON 引脚智能下拉电阻 (RPD)：
  • ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
  • ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
• ●C 版本的慢时序可限制浪涌电流：
  • 5V 开通时间 (tON)：5mV/µs 时为 1400µs
  • 1.8V 开通时间 (tON)：1mV/µs 时为 3000µs
  • 1V 开通时间 (tON)：0.3mV/µs 时为 6500µs
• ●B 版本的快速时序可减少等待时间：
  • 5V 开通时间 (tON)：57mV/µs 时为 115µs
  • 1.8V 开通时间 (tON)：12mV/µs 时为 250µs
  • 1V 开通时间 (tON)：3.3mV/µs 时为 510µs
• ●常开的真反向电流阻断 (RCB)：
  • 激活电流 (IRCB)：–500mA（典型值）
  • 反向泄漏电流 (IIN,RCB)：–300nA（最大值）
    
    
    
    参数：
    ●输入电压 Vin：1 V ～ 5.5 V
    ●最大持续电流 Iout：2 A
    ●导通电阻 Rds (on)：60 mΩ @5 V（典型）
    ●静态电流 IQ：0.5 μA（典型，导通）
    ●关断漏电流 ISD：100 nA（典型，关断）
    ●开通压摆率：5 mV/μs @5 V（C 版本）
    ●工作温度范围：−40℃ ～ +85℃
    ●控制逻辑：ON 高电平有效，内置 750 kΩ 下拉电阻
     
    应用场景：
    ●可穿戴设备：TWS 耳机、智能手表、手环（电源模块切换）
    ●物联网终端：蓝牙 / Wi‑Fi 模块、传感器节点、电池供电 MCU 系统
    ●消费电子：手机 / 平板（摄像头、闪光灯、USB 端口电源开关）
    ●工业 / 医疗：便携仪器、低功耗传感器、电池驱动设备电源管理
     
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