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  • 产品名称：
    NTMFS5C612NLT1G 单N沟道功率MOSFET
  • 功能名称：
    单N沟道功率MOSF
  • 概要：

    ■产品名称：NTMFS5C612NLT1G

    ■功能名称：单N沟道功率MOSFET

    ■概要:

    功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

    ■特征：
     
    • ●低 R DS(on)
      ● 最小化传导损耗
      ●低输入电容
      ● 最小化开关损耗
      ●NTMFS5C612NLWF - 用于增强光学检测的可润湿侧面选项
      ● 符合 RoHS 标准

      参数：
      ●类型：N 沟道单管增强 MOSFET
      ●漏源耐压 Vdss：60V
      ●栅源耐压 Vgs：±20V
      ●连续漏极电流 Id：235A（Tc=25℃）；常温空气环境 36A（Ta）
      ●导通电阻 Rds (on)：最大 1.5mΩ（VGS=10V，ID=50A）
      ●栅极阈值 Vgs (th)：1.2V~4.0V
      ●总栅极电荷 Qg：典型 60.2nC（VGS=10V）
      ●寄生电容：Ciss=4830pF、Coss=3180pF、Crss=22pF（VDS=25V，1MHz）
      ●最大功耗 Pd：167W（Tc=25℃）
      ●工作温度：-55℃~+175℃
       
      应用场景：
      ●12V/24V 大功率 DC-DC 降压电源、服务器多相 Buck；电动车、锂电工具电机驱动；快充电源、储能 BMS 负载开关；工业大电流开关、UPS 小功率逆变；机器人、车载大功率板卡供电。
       
  • 特征：

    • 特点 小足迹（5x6mm）紧凑设计 低RDS（开启），以最小化传导损失 低QG和电容，以最小化驾驶员的损失 NTMFS5C612NLWF−可湿侧翼选项增强光学检查 这些设备是Pb−免费的，并符合RoHS标准
  • 技术资料下载：