■产品名称：FQP6N40C
■功能名称：N沟道MOSFET
■概要:
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
■特征：
●6A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω（最大值） @VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：16nC)
●低 Crss（典型值15pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% avalanche tested
