■产品名称：FQA44N30
■功能名称：N沟道MOSFET
■概要:
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
■特征：
●43.5A, 300V, RDS(on) = 69mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 21.75A栅极电荷低（典型值：120nC)
●低 Crss（典型值75pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% Avalanche Tested
