NTMFS4C022NT1G N 沟道 MOS 管 封装SOP8 蓝信伟业
特征：
●N 沟道功率 MOSFET，VDS 30V 低压大电流应用
●超低导通电阻 Rds (on) 最大 1.7mΩ@VGS=10V，导通损耗低
●栅极电荷 Qg 小，开关速度优异，适配高频电源转换
●MSL‑1 湿气等级，SMT 贴片生产便捷
●内置体二极管，支持续流工作
●无铅无卤，满足 RoHS 环保要求
说明：
NTMFS4C022NT1G 为 30V 低压大电流贴片 N 沟道 MOS 管，采用 SO‑8FL 带裸露焊盘紧凑型封装，拥有极低导通电阻，栅电荷小开关速度快，散热性能优异，适合高密度板载大电流电源设计，广泛用于服务器、电脑主板、DC‑DC 降压、电池保护、大电流负载开关等低压大功率电路，符合 RoHS 无铅环保标准。
参数：
●沟道类型：N 沟道
●漏源耐压 VDS：30V
●连续漏极电流 ID：30A（Ta），136A（Tc=25℃）
●栅源电压 VGS：±20V
●导通电阻 Rds (on)：1.7mΩ（VGS=10V）
●栅极阈值 VGS (th)：2.2V 典型
●栅电荷 Qg：20.8nC 典型
●功耗 Pd：3.1W（Ta=25℃）
●工作温度：‑55℃～+150℃
应用场景：
●服务器、计算机主板大电流 Buck 降压电源
●锂电池保护板、大电流负载开关
●工业 DC‑DC 变换模块、多相供电电路
●电机驱动、便携式大功率设备电源
