FDC5612 N 沟道 MOS 封装SOT23-6 蓝信伟业
特征：
1. N 沟道增强型 MOSFET，VDS=60V，VGS=±20V，Vgs (th) 典型 2V。
2. 导通电阻：Rds (on) Max 55mΩ@VGS=10V；Max 64mΩ@VGS=6V，低压驱动下导通损耗低。
3. 低栅电荷 Qg 典型 12.5nC，开关速度快，适合高频 DC‑DC 变换器，降低开关损耗。
4. SuperSOT‑6（SOT‑23‑6）超薄小封装，1mm 薄型，节省 PCB 布板空间；无铅无卤素 RoHS 合规。
5. 内置体续流二极管；结温‑55℃ ~ +150℃。
6. 原厂 EOL 停产，不再新产，市场流通为尾货库存，新项目不建议作为主选料号
说明：
FDC5612 是仙童（安森美）PowerTrench 沟槽工艺 N 沟道 MOS，VDS=60V，Ta 条件连续电流 4.3A；主打**低栅极电荷 Qg、低 Rds (on)、开关速度快**；SuperSOT‑6 小体积贴片，面积比标准 SO‑8 小 72%，高度仅 1mm，适合高密度 PCB；专门面向中小功率同步 Buck、DC‑DC 降压、负载开关；原厂已经停产，新项目优先选用 pin‑pin 兼容替代料，老项目消耗库存。
参数：
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 漏源击穿电压 VDS：60V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 Id (Ta25℃)：4.3A
- 脉冲漏极电流 Idm：20A
- 导通电阻 Rds (on)：Max55mΩ@VGS=10V；Max64mΩ@VGS=6V
- 栅极阈值 Vgs (th)：1.0‑3.0V
- 总栅电荷 Qg：典型 12.5nC@VGS=10V
- 输入电容 Ciss：典型 650pF@Vds=25V
- 最大耗散功率 Pd (Ta)：1.6W
- 结温 Tj：‑55℃ ~ +150℃
应用场景：
1. 中小功率同步 Buck DC‑DC 降压转换器，电源副边开关管
2. 板卡负载开关、电源路径管理、电池充放电控制回路
3. 电机、电磁阀小功率开关控制
4. 适配器、工业模块、LED 驱动电源的次级开关
5. 空间受限的高密度 PCB 设计（薄型设备）
