NTMFS5C670NLT1G N 沟道功率 MOS 封装SOP8 蓝信伟业
特征：
1. N 沟道增强型 MOSFET，VDS=60V，VGS=±20V，栅极阈值 Vgs (th)：1.2~2.0V
2. 低导通电阻：Rds (on) 最大 6.1mΩ@VGS=10V；VGS=4.5V 下依然保持很低导通损耗
3. 电流规格：Tc=25℃ Id=71A；Ta=25℃ Id=17A；Tc 下最大耗散功率 61W，Ta 下 3.6W
4. 优化栅极电荷：Qg 典型 9nC@4.5V、20nC@10V，开关损耗低，适合高频 DC‑DC 拓扑
5. 内置体续流二极管，支持雪崩耐量，抗瞬时过压冲击，提升系统可靠性
6. 5‑DFN（5×6mm）贴片封装，底部大面积散热焊盘，PCB 铺铜后散热性能优异；丝印代码5C670L
7. 结温范围‑55℃ ~ +175℃；RoHS 无铅环保，工业级器件
说明：
NTMFS5C670NLT1G 是安森美 5DFN 封装 N 沟道功率 MOS，Vds=60V；Tc 条件连续漏极电流 71A，Ta 条件 17A；具备极低 Rds (on)，栅电荷小，开关速度快，内置体二极管。5×6mm DFN 贴片，底部大面积裸露焊盘，散热能力强，主要用于 DC‑DC 降压 / 升压、服务器 / 通信电源、负载开关、电机驱动；原厂交期较长，市场多以现货 / 替代方案为主，工业级 Active 在产状态
参数：
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 漏源击穿电压 VDS：60V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 Id：71A (Tc=25℃) / 17A (Ta=25℃)
- 导通电阻 Rds (on)：Max 6.1mΩ @VGS=10V，ID=35A
- 栅极阈值 Vgs (th)：1.2‑2.0V
- 总栅电荷 Qg：9nC@4.5V；20nC@10V
- 最大耗散功率 Pd：61W (Tc)；3.6W (Ta)
- 输入电容 Ciss：典型 1400pF@Vds=25V
- 结温 Tj：‑55℃ ~ +175℃
应用场景：
1. 服务器、通信设备大电流 DC‑DC 降压转换器、多相 Buck 电源
2. 工业负载开关、电源路径管理、电池充放电回路
3. 电机驱动、电磁阀驱动，大电流开关控制
4. 光伏模块、大功率适配器、UPS 辅助电源
5. 高密度板卡，对体积、散热、导通损耗有严苛要求的功率回路
