STPSC10H065B-TR 二极管 封装TO252 蓝信伟业
特征：
1. SiC 碳化硅肖特基，无反向恢复电荷，trr≈0ns，极大降低开关尖峰、EMI 与开关损耗
2. 重复反向峰值电压 VRRM：650V，平均正向整流电流 Io=10A
3. 开关特性几乎与结温无关，高温工况性能稳定
4. 高正向非重复浪涌电流 Ifsm=90A，抗上电冲击能力强
5. 正向压降 Vf=1.75V@IF=10A；反向漏电流 Ir=100μA@650V/25℃
6. DPAK（TO‑252‑3）贴片封装，自带散热焊盘，SMT 量产方便，散热性能优良
7. 结温范围‑40℃ ~ +175℃，工业级；ECOPACK2，RoHS 无铅环保
8. 专为 PFC 升压电路优化，适合硬开关高频电源拓扑，可提高开关频率、减小磁性器件体积
说明：
STPSC10H065B‑TR 是650V/10A 工业级碳化硅肖特基二极管，宽带隙 SiC 工艺，几乎零反向恢复电荷 Qrr≈0，开关特性几乎不受温度影响，浪涌耐受能力强，硬开关工况下大幅降低开关损耗，提升电源整机效率，DPAK 贴片封装，广泛用于 PFC 功率因数校正、服务器电源、通信电源、光伏逆变器等中高频开关电源升压整流回路。产品状态 Active 量产，工业非车规版本；车规版本后缀为 BY‑TR（AEC‑Q101）。
参数：
- 器件类型：SiC 碳化硅功率肖特基二极管（工业级）
- 重复反向耐压 VRRM：650V
- 平均正向电流 Io：10A（Tc=135℃）
- 正向压降 Vf：1.75V @ 10A，25℃
- 非重复浪涌电流 Ifsm：90A
- 反向漏电流 Ir：100μA @ 650V
- 总电荷 Qc：28.5nC
- 结温 Tj：‑40℃ ~ +175℃
- 封装：DPAK / TO‑252‑3（SC‑63）
- 包装：TR 编带盘装，每盘 2500pcs
- 产品等级：工业级（非车规；车规：STPSC10H065BY‑TR）
应用场景：
1. 开关电源 PFC 功率因数校正升压二极管（最主要用途）
2. 服务器电源、通信电源、工业电源、大功率适配器
3. 光伏微型逆变器、储能电源升压 / 整流回路
4. 高频硬开关拓扑，替代传统快恢复二极管，提升整机效率、降低温升
5. 充电桩辅助电源、工业设备大功率整流模块
