FM25L16B-GTR 存储器 封装SOP8 蓝信伟业
特征：
拥有远超 EEPROM 与 Flash 的擦写耐久度，读写循环可达 100 万亿次；采用 NoDelay™无延迟写入，写入无需等待页擦除，总线速度直接完成存储操作；最高 SPI 时钟 20MHz，支持 SPI 模式 0 和模式 3；具备多层写保护机制，包含 WP 引脚硬件锁存、软件写禁止指令、区块保护，可保护 1/4、1/2 或整片存储区域；整体功耗低，1MHz 工作时典型工作电流 200μA，待机电流仅 3μA；满足 RoHS 无铅无卤素标准，湿气等级 MSL3。
说明：
FM25L16B-GTR 属于 FM25L 系列串行铁电存储器，存储架构为 2K×8bit。和传统 EEPROM 相比，铁电存储不需要等待擦除延时，适合高频、反复实时记录数据的场景，可直接硬件替换同引脚的 SPI EEPROM。型号后缀 G 代表 SOIC-8 封装，TR 为 Tape&Reel 编带包装。断电后在 65℃环境下数据可保存 151 年，工业宽温设计，稳定性强，是工控设备高频数据记录常用存储料。
参数：
- 存储容量：16Kbit（2KB）
- 存储架构：2K × 8bit
- 接口：SPI，最高 20MHz
- 供电电压：2.7V ~ 3.6V
- 温度范围：-40℃ ~ +85℃（工业级）
- 擦写寿命：10¹⁴次（100 万亿次）
- 数据保存：65℃下 151 年
应用场景：
工业控制器、智能仪表、电表水表、PLC、传感器采集设备、数据记录仪，用于高频实时保存采集参数、设备运行日志、掉电需要保存的配置信息；也可用于医疗设备、安防终端，适合需要频繁写入、不允许丢失数据的场景。
