■产品名称：LTC7891RUFDM#TRPBF
■功能名称：100 V，低 IQ， 用于GaN FET的同步降压控制器
■概要:
该LTC7891是一款高性能降压型DC-DC开关稳压控制器，可驱动输入电压高达100 V的所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级。该LTC7891解决了使用GaN FET时传统上面临的许多挑战。与金属氧化硅半导体场效应晶体管 （MOSFET） 解决方案相比，该LTC7891简化了应用设计，同时不需要保护二极管和其他额外的外部元件。
内部智能自举开关可防止 BOOST 引脚至SW 引脚高侧驱动器电源在死区期间过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。该LTC7891在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序，以实现智能接近零死区时间，从而显著提高效率，并允许高频工作，即使在高输入电压下也是如此。或者，用户可以使用外部电阻器调整死区时间以获得裕量或定制应用。
LTC7891的栅极驱动电压可以在4 V至5.5 V范围内精确调节，以优化性能，并允许使用不同的GaN FET，甚至逻辑电平MOSFET。
请注意，在本数据手册中，多功能引脚（如PLLIN/SPREAD）要么由整个引脚名称引用，要么由引脚的单个功能（例如PLLIN）引用，而仅与该功能相关。
■特征：
●氮化镓驱动技术针对氮化硅场效应晶体管进行了全面优化
●宽V型在范围：4 V 至 100 V
●宽输出电压范围：0.8V ≤ V外≤ 60 V
●无需箝位、箝位或自举二极管
●内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
●内部优化、智能接近零死区时间或电阻器可调死区时间
●分离式输出栅极驱动器，可调节导通和关断驱动器强度
●精确可调的驱动器电压和欠压锁定 （UVLO）
●低工作 IQ：5 μA （48 V在至 5 V外)
●可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
●可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
●扩频调频
●28 引脚（4 mm × 5 mm）侧面可湿 QFN 封装
